STAGE – Master 2 Recherche Microélectronique
Le transistor HEMT (High Electron Mobility Transistors) à base d’hétéro-structure AlGaN/GaN fait l’objet de ce stage [1-4].
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Le transistor HEMT (High Electron Mobility Transistors) à base d’hétéro-structure AlGaN/GaN fait l’objet de ce stage [1-4].
